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1.
2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计 总被引:5,自引:2,他引:3
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A. 相似文献
2.
3.
CMOS光接收机主放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
利用CMOS工艺设计一种用于SDH STM 4速率级(622 Mb/s)光纤用户网的光接收机放大电路。此电路由输入/输出缓冲、主放大单元、偏置补偿电路4部分组成。通过直接耦合技术提高增益,降低功耗;利用有源电感负载提高系统带宽。采用商用SmartSpice电路仿真软件和CSMC HJ 0.6μm工艺参数对该电路进行仿真。结果表明,该电路在5 V工作电压下中频增益为81 dB,3 dB带宽为470 MHz。 相似文献
4.
6.
A compact lumped‐element equivalent circuit model of two‐layer integrated spiral inductors on silicon substrates is developed in this article. Based on this proposed model, excellent agreements are achieved between the measured and simulated S‐parameters for different inductors. Also, both self‐ and mutual inductances of two‐layer inductors are accurately extracted, and their overall performances are understood clearly. © 2003 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 13: 148–153, 2003. 相似文献
7.
8.
高压供电设备故障特别是输电线路的高压接地故障对工地的影响是相当大的。由于接地故障为隐性故障,没有明显的物理现象,且若是长期接地可能会发展成较为严重的两相或三相短路故障,使系统解列运行直至崩溃;由于工地流动人员较多,还易造成电击事故。利用高压一相接地时在线路中产生零序电压这一特性来迅速判断和切除接地的用电设备,可以保证各项施工的顺利进行。 相似文献
9.
随着电力和电子技术的飞速发展,相应的元器件向高频化,小型化,高效率和节能的方向发展,从而对元器件用材料也提出了更高要求。为此,本文概述了冶金部钢铁研究总院近年来所研究的用于开关电源,脉冲变压器,传感器,电流互感器和电感器等方面的非晶软磁合金的性能及其应用概况。 相似文献
10.